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新能源车+光伏+储能三轮驱动 碳化硅产能满载、供不应求
SiC材料特性优异,新能源汽车、光伏驱动行业成长。当前全球SiC衬底总年产能约在40~60万片等效6英寸,无法满足下游旺盛需求。此前,半导体晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示,碳化硅(SiC)产能满载、供不应求,仍在持续扩产,预计今年四季度、明年一季度将贡献显著营收。
当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的3-5倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。机构指出,目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势,国内企业仍在起步阶段,技术不断追赶同时产能尚在爬坡,随着国内企业产品得到验证进程加速,下游厂商认可程度不断提升,海外企业与国内企业差距相对缩小,本土化具备广阔的市场空间。
本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM
据财联社主题库显示,相关上市公司中:
晶盛机电已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体,并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验线产品已通过下游部分客户验证。
时代电气表示,在功率半导体领域,公司建有6英寸双极器件、 8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。
(小编:财神)
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