OPPO Find X8发布,英诺赛科为其注入AllGaN黑科技

　　10月24日，全球领先的智能终端制造商OPPO了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，主打轻薄直屏和影像旗舰，天玑9400处理器与潮汐引擎的超强配置，配合冰川电池与极速充电技术，能够为用户带来流畅的操作体验和持久的续航表现。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　据了解，OPPO 此次的Find X8/X8 pro系列手机采用了英诺赛科全链路氮化镓（AllGaN）技术，从电源侧的快速充电（80W超级闪充和50W无线充）到手机内部主板的充电过压保护（OVP），均采用了英诺赛科氮化镓。

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　　据悉，英诺赛科是全球功率半导体革命的者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。公司采用IDM全产业链商业模式，并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是全球氮化镓行业的龙头企业，于2023-2024年，连续2年入选“胡润全球独角兽榜”。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　英诺赛科的氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　全链路氮化镓（AllGaN）技术 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特性，能够打造体积更小、充电更快且安全性更高的产品。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充产品中，采用了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN，一颗替代两颗背靠背的 Si MOS，简化了内部空间，使产品设计更加轻薄。同时，VGaN 具备双向导通或关断的特性，能在手机充电过程中对电池进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是满足了用户随时随地快速充电的需求。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　充电侧的超级闪充则采用了英诺赛科高压GaN，该芯片采用TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效率更高。根据 OPPO 数据对比，采用英诺赛科高压 GaN 的80W 超级闪充与此前标配的80W适配器相比，体积减小约18%，随身携带更方便。

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　　全球领先的智能终端制造商选择与英诺赛科长期深度合作，体现了其对创新技术和产品性能的信心和决心。据了解，该厂商已有多个系列产品（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充电器均采用了英诺赛科 AllGaN 技术，实现了产品性能与竞争力的领先。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　氮化镓赋能未来，共促行业创新 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　氮化镓材料以其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力及低导通电阻等卓越特性，正逐步改变功率半导体行业格。机构，2023年至2028年间，全球氮化镓功率半导体市场规模将实现指数级增长，复合年增长率高达98.5%，市场潜力巨大。

　　作为全球功率半导体革命的先驱，英诺赛科持续引领氮化镓功率半导体行业进入加速发展阶段，弗若斯特沙利文预计至2028年，全球市场规模将达到501.4亿元人民币。

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　　占据优势赛道，据悉，英诺赛科最近三年业务高速增长，收入由2021年的6821.5万元（人民币，下同）增加至2023年的5.9亿元，2021年-2023年，收入复合年增长率高达194.8%。

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　　一方面全球氮化镓下游应用进入爆发期，需求端强力拉动，另一方面得益于公司长期富有远见的布，英诺赛科采用IDM模式，在产品设计、工艺制造、测试及下游应用等方面持续大量投入，确立了独特且无可比拟的技术领先地位及综合运营优势，能够有效满足市场强劲需求。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　作为第三代半导体氮化镓革命的者，未来，英诺赛科将持续深耕，期待以更加卓越的技术，助力更多行业厂商，打造更极致更优质的产品，共同推动行业创新及应用。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

(小编：财神)