寒冬过后 存储芯片波澜再起

发布时间：2024-03-31 23:16来源：证券市场周刊散户吧字号：大 中 小

主流存储芯片价格进入上行通道，头部海外厂商产能被主流产品所挤占，利基产品价格或将跟随上涨；受益于AI对存储性能需求的增长，模组及内存接口芯片将随存储芯片而升级，拓展市场空间。

　　

2023年四季度起，手机、个人电脑等终端应用景气复苏，大宗存储产品合约价进入上行通道。2024年，存储芯片市场规模预计同比增长44.8%至1297.7亿美元。随着AI应用的不断发展，头部海外厂商会将更多产能投入到主流存储器和新兴应用方向，间接减少对利基市场的关注度和产能分配。国产厂商预测，主流存储价格的上行走势有望带动利基市场，DRAM和NAND利基产品的价格将持续回升。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

大模型时代科技公司加大了对人工智能的投入，算力膨胀有赖于存储性能的提升，用于高性能GPU的HBM芯片供不应求。模组厂商则从移动存储市场出发，逐步发展至固态硬盘及嵌入式存储领域，AI PC的产业趋势增加对更高速率DDR5内存的需求，这将有助于推动内存模组配套芯片及内存接口芯片需求的提升。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

价格走出谷底 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

存储芯片产品具备科技大宗商品的属性，相较于半导体其他细分领域，存储芯片的市场弹性更大，受供求关系影响更为显著。2022年下半年起，存储芯片供过于求，价格大幅下跌，2023年，三星、SK海力士、美光相继减产、下调资本开支，等候库存出清，典型NAND Flash合约平均价于2023年4月见底，典型SSD渠道市场平均价于2023年7月见底，典型DRAM内存条渠道平均价于2023年8月见底，典型DRAM颗粒现货平均价于2023年9月见底。2023年，存储器市场规模下降31.0%至896亿美元。伴随着下游终端客户的需求逐步回暖以及库存消耗带来的补库需求，2023年四季度存储芯片价格触底反弹，DRAM和SLC NAND的价格小幅回暖，DRAM价格有约10%的提升。

　　

世界半导体贸易统计组织预测，2024年全球半导体市场规模有望达到5884 亿美元，同比增长13.1%，其中存储器细分赛道的占比将上升到22.06%，市场规模将上涨到1298亿美元，同比增加44.8%，涨幅位居半导体细分领域之首。集邦咨询预计，2024年一季度NAND Flash合约价季涨幅约18%-23%，DRAM合约价季涨幅约13%-18%，并有望连续四个季度看涨。

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利基产品涨价在时间上有滞后性，国产厂商认为，虽然利基产品没有带动大量需求的新兴应用，但由于主流产品价格的上涨叠加产能被主流挤占，利基产品价格将跟随上涨，预计2024年上半年会延续温和上涨；SLC NAND价格已经触底，预计2024年呈温和上涨趋势，涨价幅度比DRAM小；NOR在容量、产品系列和应用领用等维度价格有所差异，低端、小容量产品价格竞争激烈，短时间看不到上涨的趋势，在工业、车载和大容量的高端电子消费品应用领域，随着消费需求回暖有涨价的可能。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

2023年四季度以来，存储器市场出现复苏，手机等领域需求有所恢复，经过多月的市场博弈，2023年10月份起模组端整体价格呈上涨趋势，未来随着下游应用如网络通信、消费电子等逐渐复苏，东芯股份预计公司产品的出货量及收入将持续改善，产品价格有望提升。佰维存储2023年四季度营业收入预计为14亿-16亿元，同比增长超过80%，环比增长超过50%，毛利率环比回升超过13个百分点。

　　

人工智能推动变革 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

大模型带来人工智能应用的兴起，对算力的追求导致所需的存储规模膨胀。AI PC和AI手机对存储的速度要求高，HBM成为AI服务器的内存之选。HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少运算延迟，适用于高带宽需求的场景。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

全球HBM芯片由SK海力士、三星和美光生产，英伟达即将发布下一代GPU——采用Blackwell架构的B100芯片，其存储器规格将采用HBM3E，由SK海力士和美光供货。

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三星的HBM3芯片生产良率约为10%-20%，SK海力士的良率约为60%-70%，而一般的DRAM 生产良率在90%以上。HBM需要在半导体上钻孔并使用硅通孔垂直堆叠多个芯片，任何阶段的缺陷都可能牵连其他好的芯片一同被丢弃，导致整体的经济效益缩水，芯片价格居高不下。近年来科技公司提高AI的研发投入，使HBM芯片供不应求，SK海力士已率先实现单季度扭亏。

　　

SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始量产，三星则计划于2024年推出第九代3D NAND，有望达到280层，2025-2026年推出第十代3D NAND，有望达到430层。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　

DRAM规格向DDR5和LPDDR5转变，DDR5、LPDDR5每千兆字节的价格比DDR4和LPDDR4更高，PC、服务器接口亦向DDR5、LPDDR5转变。美光估计AI服务器的DRAM容量约为普通服务器的6-8倍，海力士估计AI服务器的DRAM容量约为普通服务器的2-4倍。

　　

(小编：财神)